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电子知识
MOSFET 失效 Top 原因
如果说电气问题是“立刻炸管”,
那么 热知道、布局问题 则是“慢性谋杀”。
这些失效往往:
初期测试通过
批量 / 高温 / 老化后暴露
一、TOP6:散热设计不足导致结温超限
1. 常见误区
只看 Rds(on)
不算热阻
PCB 当“空气散热”
2. 真实后果
长期工作在 140℃+
寿命指数级下降
参数漂移
3. 改进建议
热设计前置
铺铜 + 过孔 + 散热片
算结温,而非猜温度
二、TOP7:多颗 MOS 并联导致热失衡
1. 典型现象
某一颗先烧
并联并不均流
2. 原因分析
Rds(on) 温度正反馈
布局不对称
散热条件不同
3. 工程建议
对称布局
源极电阻
热均衡设计
三、TOP8:PCB 布局寄生参数引发异常应力
1. 常见布局问题
高 di/dt 回路过大
Drain / Gate 并行
Source 回路不干净
2. 后果
电压尖峰
EMI 增大
MOS 额外应力
四、TOP9:保护电路缺失或形同虚设
1. 现实情况
过流检测太慢
过温未闭环
保护阈值过高
2. 后果
MOS 承担了“保险丝”的角色。
3. 正确做法
快速过流保护
温度联动降功率
软件 + 硬件双保险
五、TOP10:器件选型与真实工况不匹配
1. 典型错误
实验室条件选型
忽略极端工况
忽略老化
2. FAE 建议
留足安全裕量
参考 SOA 曲线
用最差工况设计
MOSFET 失效不是单点问题,而是系统性问题。
优秀的设计应做到:
电气安全 + 热安全 + 布局安全 + 保护安全
——MDD辰达半导体
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