随着电子设备向小型化、高效率、高功率密度发展，高频开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）、DC-DC转换器等高频应用日益广泛。然而，高频运行带来的电磁干扰（EMI）和开关损耗成为主要挑战，而MDD整流管的选型和优化设计是关键因素之一。

1.高频应用对整流管的挑战

在高频电路中，整流管主要面临两大问题：
①开关损耗（Switching Loss）
由于整流管在导通和关断瞬间发生电流变化，尤其是在高频工作状态下（>100kHz），**反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）**会导致功率损耗，并影响整体转换效率。
②电磁干扰（EMI）
由于反向恢复过程中产生的电流尖峰和振铃现象，会形成高频噪声，从而增加EMI问题，影响系统的稳定性。
不同整流管的特性对比：

2.如何降低开关损耗？
2.1选择低trr和低Qrr的整流管
高频应用（>100kHz）推荐使用超快恢复二极管（FRD）或碳化硅（SiC）二极管，它们的反向恢复时间短，有助于降低开关损耗。
例如，在PFC电路中，SiC二极管比FRD能减少40%~50%的开关损耗，提高整体能效。
2.2优化整流管的工作条件
适当降低工作电流，减少导通损耗。
选择合适的耐压等级，避免因过高的反向电压增加损耗。
2.3使用软恢复整流管（Soft Recovery Diode）
软恢复二极管在反向恢复过程中不会产生高di/dt的尖峰电流，可减少振铃和损耗，适用于高频应用。
3.如何降低EMI？
3.1选择低Qrr的整流管，减少噪声源
反向恢复电荷（Qrr）较大的二极管在关断时会产生尖峰电流和电压振铃，导致高频EMI。
SiC二极管的Qrr接近零，因此可显著减少EMI问题。
3.2加装RC缓冲电路或RCD吸收电路
在二极管并联RC缓冲器，可吸收高频振荡能量，降低高频噪声。
例如，典型的RCD吸收电路用于降压转换器和反激式开关电源，可缓解二极管的di/dt影响。
3.3优化PCB布局，减少寄生参数
缩短二极管到电感、电容的走线，减少寄生电感。
增加回路面积，降低EMI辐射，特别是在高频应用中采用四层板设计，提升接地屏蔽效果。
4.高频应用整流管选型指南
根据不同应用场景，推荐合适的高效率整流管：

在高频应用中，合理选择MDD整流管可有效降低EMI和开关损耗，提高系统稳定性：
🔸高频DC-DC转换器选用肖特基二极管，降低导通损耗。
🔸高频PFC、逆变器等高压应用选用SiC二极管，减少反向恢复损耗和EMI干扰。
🔸适当增加RC缓冲电路和优化PCB布局，可进一步抑制高频噪声，提高电源效率。
通过优化整流管选型和电路设计，可在高频环境下实现更低损耗、更低EMI和更高能效的电源系统。