肖特基二极管与平面肖特基二极管反向恢复特性的区别是什么？是否可以实现很好的平衡？
在不增加反向泄漏电流的情况下提升反向阻断电压是目前平面肖特基整流二极管设计所面临的一个挑战。平面肖特基的局限性在于等电位的势垒线倾向于聚集在金属电极附近而不是衬底，当在表面附近超过临界电场时，会导致较早地击穿。而通过将trench沟槽蚀刻到硅中并填充导电的多晶硅，可有效地耗尽反向漂移区内的漂移电子，并使漂移区电场均匀分布。
这意味着Trench 沟槽肖特基二极管系列在VF和IR之间实现了很好的平衡。与平面肖特基二极管相比，沟槽肖特基器件具有更宽的安全工作范围（SOA）。由于对热冲击的稳健性，这使得它们在环境温度较高的应用中成为理想选择。
与平面肖特基二极管相比，沟槽肖特基整流电路中的额外RC提供了另一个好处，它提供了更好的电磁兼容性，因此沟槽整流二极管更适合于电磁敏感的应用领域。

与平面肖特基二极管相比，沟槽肖特基二极管的Qrr要小得多。当在开关模式转换电路中使用时，这导致较低的开关损耗。EMI测量表明，沟槽肖特基的反向恢复“振铃”并不影响电磁发射水平。
总之，沟槽肖特基整流二极管是首选。
通过将肖特基与Trench技术相结合，最新的Trench肖特基整流二极管带来了许多性能优势。沟槽肖特基二极管在正向压降和漏电流之间提供了更好的平衡。它们还具有出色的EMC性能以及对热冲击效应的稳健性。

只有在考虑寄生电容时，设计者才需要注意——通常，单位面积下，沟槽肖特基整流二极管的总寄生电容高于平面整流二极管。因此，如果在具有较高的开关损耗的系统应用中，需要更低电容的整流管，平面肖特基是更好的选择。然而，在大多数损耗是由于正向压降或漏电流引起的应用中，沟槽整流二极管无疑是更棒的选择。