MDD二极管有导通和截止两种工作状态。而且导通和截止有一定的工作条件。如果给二极管的正极加上高于负极的电压,称为二极管的正向偏置电压,当该电压达到一定数值时二极管导通,导通后二极管相当于一个导体,电阻很小,相当于接通,如图所示。

 

    当MDD二极管两端外加电压发生变化时,一方面PN结宽窄变化,势垒区内的施主阴离子和受主阳离子数量会改变;另一方面扩散的多子和漂移的少子数量也会因电压变化而改变。这种情况与电容的作用类似,分别用势垒电容和扩散电容来表示。当二极管两端外加正向电压时,它削弱PN结的内电场,扩散运动加强,漂移运动减弱,扩散和漂移的动态平衡被破坏,扩散运动大于漂移运动,结果导致P区的多子空穴流向N区,N区的多子电子流向P区,进入P区的电子和进入N区的空穴分别成为该区的少子,因此,在P区和N区的少子比无外加电压时多,这些多出来的少子称为非平衡少子。
在正向电压作用下,P区空穴越过PN结,在N区的边界上进行积累,N区电子越过PN结,在P区的边界上进行积累,这些非平衡少子依靠积累时浓度差在N区进行扩散,形成一定的浓度梯度发布,靠近边界浓度高,远离边界浓度低。空穴在向N区扩散过程中,部分与N区中的多子电子相遇而复合,距离PN结边界越远,复合掉的空穴就越多。反之亦然,电子在向P区扩散过程中,部分电子与P区中的多子空穴相遇而复合,距离PN结边界越远,复合掉的电子就越多。MDD二极管正向导通时,非平衡少数载流子就会在边界附近积累,产生电荷存储效应。

 

    MDD二极管导通后,在回路中的电流流向是从正极流向负极,不能从负极流向正极,否则二极管已经损坏。
  
    MDD二极管导通的条件:正向偏置电压,正向偏置电压大到一定程度,对于硅管而言0.7V,对于锗管而言为0.2V。对于一个硅二极管正向电压大于0.5V的时候,就会有正向电流。通常情况下,硅MDD二极管正向电压不会超过0.7V。那如果在这个二极管两端加上10V的电压,那么此时经过电源内阻限流后,电流超过了此MDD二极管所能承受的最大电流,MDD二极管就被烧毁了!不超过MDD二极管的允许最大电流,那么肯定是电源有内阻承担了另外过多的电压。此时MDD二极管的电压肯定是0.7V。它的作用和稳压管类似,只要符合了稳压管的条件它就稳压,超过了或者不稳压,或者被烧毁。

 

    如果是一个能力特别强的电源,比如是理想电源,那么MDD二极管肯定是被击穿的。也就是,在二极管没有被击穿的情况下,这个硅二极管两端的电压一般就是0.5V-0.7V左右了。